مطالعه و شبیه سازی یک مدل جدید برای ترانزیستورهای لایه نازک آلی با قابلیت تحرک(µ)بالا در ولتاژگیت پایین

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمده ترین نیمه هادی آلی می باشد که برای ترانزیستورهای لایه نازک آلی مورد مطالعه قرار گرفته است و بالاترین رکورد موبیلیتی بوسیله این نوع نیمه هادی گزارش شده و عملکرد این نوع ترانزیستور را از حالت اشباع خارج کرده است.وهمچنین برای رسوب لایه های نیمه هادی برای استفاده دراین نوع ترانزیستور از دو روش حلالیت و خلاء استفاده می شود که هر کدام مزایای خاص خود را دارند از قبیل کم هزینه بودن و کیفیت بالای لایه ی رسوب شده که روی افزایش موبیلیتی تاءثیر چشمگیری دارد. در نهایت روی تاءثیرتابع کار الکترودهای فلزی درین وسورس و ولتاژاعمالی گیت درعملکرد ترانزیستورهای لایه نازک آلی تمرکز می کنیم که هر چقدر تابع کار الکترودهای فلزی به کاررفته به عنوان سورس و درین بیشتر باشد جریان درین در ولتاژ درین یکسان بیشتر خواهد شد و به تناسب آن موبیلیتی نیزافزایش پیدا می کند و همچنین موبیلیتی های بالایی که تا امروز از این نوع ترانزیستور بدست آمده تحت تاءثیر ولتاژ اعمالی گیت بالا در حدود 100- ولت می باشد که اگرولتاژ اعمالی را کاهش دهیم موبیلیتی نیز کاهش پیدا می کندما می خواهیم موبیلیتی بالایی را تحت تاءثیرولتاژگیت پایین بدست آوریم. که برای رسیدن به این هدف یعنی کم کردن ولتاژاعمالی، می توانیم عایق گیت با نسبت دی الکتریک بالا (?) بکار ببریم یا به جای افزایش نسبت دی الکتریک ضخامت لایه ی دی الکتریک را کاهش دهیم و همچنین موبیلیتی به باردرواحد سطح روی نیمه هادی آلی در طرف عایق بستگی دارد که تابعی از تمرکزحامل های ذخیره شده در ناحیه ی کانال است که بوسیله ی جایگزین کردن دی اکسید سیلسیوم با عایقی که در ترانزیستورلایه نازک به کار رفته می توان همان تمرکز حامل را در ولتاژگیت پایین بدست آورد.